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氮化硅

氮化硅

氮化硅化工百科 ChemBK

2024年1月2日 — 氮化硅中文名:氮化硅,英文名:Silicon nitride (IV),CAS:1,化学式:N4Si3,分子量:1402833,密度:344 g/mL at 氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅的强度很高，尤其是热压氮化硅，是世界上最坚硬的物质之一。具有高强度、低密度、耐高温等性质。 Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物，基本结构单元为 [ SiN4 ] 氮化硅陶瓷百度百科1970年1月1日 — 本文综述了氮化硅陶瓷在机械、航空航天、半导体和生物领域的研究进展和应用现状,并介绍了其制备方法和优异性能。氮化硅陶瓷是一种具有高力学性能、良好透氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进 2023年7月15日 — 氮化硅是一种非定比的非晶态材料，具有优异的绝缘性能、热稳定性和硬度，广泛应用于芯片中的隔离层、栅极绝缘层等。本文介绍了氮化硅的化学性质、晶体结构、制备方法和在芯片制造中的作用，以及聊聊氮化硅（SiNx）在芯片中的重要性知乎

氮化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA

京瓷精密陶瓷的氮化硅主要由Si3N4组成，具有高强度、高耐热冲击性和低热膨胀系数等优点，适用于汽车发动机、燃气轮机等高温结构件。本介绍了氮化硅的结构、性能、相关产品和用途，以及京瓷的联系方式和咨询 2024年4月10日 — 氮化硅是一种由硅和氮元素组成的化合物，具有高硬度、高热导性和良好的绝缘性。它广泛应用于半导体、陶瓷和生物医学领域，可通过化学气相沉积法制备。Silicon nitride化工百科2023年3月9日 — 本文介绍了氮化硅的结构、合成方法、优势和应用领域，重点分析了氮化硅陶瓷在航天军工、机械工程、能源工程等方面的优势和发展前景。氮化硅是一种由硅和氮组成的共价键化合物，具有高强度、耐热氮化硅材料的性能特点及其应用简介知乎2020年4月7日 — 氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。 α和β两相是Si3N4最常出现的型式，且可以在常压下制备。 γ相只有在高压及高温下，才能合成得氮化硅晶体结构和特性知乎

氮化硅光子器件与应用研究进展

2021年4月25日 — In this paper, we review the optical properties of silicon nitride and its recent advances in optical film, micronano metamaterial and silicon photonics, and also review the research progresses on the 2023年6月25日 — 河北高富氮化硅材料有限公司成立于2011年，是一家致力于生产高性能氮化硅产品的高新技术企业。经过十余年的技术创新和发展，公司形成了以氮化硅粉体为基础，高纯氮化硅粉体和高性能氮化硅陶河北高富氮化硅材料有限公司2022年11月1日 — 近日，清华大学材料学院研究团队通过在共价键氮化硅陶瓷材料中设计共格界面，创新性引入“共价键断裂旋转再键合”方式来实现类似金属中的位错运动，使得氮化硅陶瓷表现出前所未有的室温压缩塑性形材料学院研究团队首次实现共价键氮化硅陶瓷室温塑 2020年4月7日 — 蓝色圆球是氮原子，灰色圆球是硅原子crystal structure of alphaSi3N4 Data from Kato K, Inoue Z, Kijima K, Kawada I, Tanaka H, Yamane T (1975) "Structural Approach to the Problem of Oxygen氮化硅晶体结构和特性知乎

氮化硅薄膜生长随时间演化过程及其特性研究 CERADIR

2022年1月10日 — 摘要:氮化硅 SiN x 薄膜凭借介电常数高和稳定性好的特点而被广泛应用于光电器件中,但薄膜的厚度对器件的性能有重要影响。针对此问题采用等离子体化学气相沉积技术,以高纯 NH 3 、N 2 和 SiH 4 为反应气体,优化其他沉积参数,通过改变沉积时间来生长 2024年8月8日 — 2 亮点文章特邀综述第44 卷 15 期 /2024 年 8 月光学学报介质中 n2 值与三阶极化率 χ (3) 有关。氮化硅因其低损耗、适中的克尔非线性等优势成为最重要的非线性光学平台之一[1011]。2008年Ikeda等[12]报道关于氮化硅波导的非线性超低损耗氮化硅集成光学：非线性光学和应用（特邀化学计量比的氮化硅由正方氮化硅晶胞组成，多余的硅原子在其中排列成六方结构。氮化硅低温相的点阵常数为a=0758nm，c=05623nm。它的介电常数高达67，击穿场强1x10 7 Vcm。可用化学气相沉积和溅射法制备。氮化硅膜百度百科2020年11月7日 — 1氮化硅陶瓷简介氮化硅（Si3N4) 是共价键化合物，它有两种晶型，即αSi3N4和βSi3N4。αSi3N4是针状结晶体，βSi3N4是颗粒状结晶体，两者均属六方晶系。将高纯Si在120氮化硅陶瓷介绍与应用 CERADIR 先进陶瓷在线

CIOE专访国科光芯：立足氮化硅平台持续性发展加速硅光子

2024年9月12日 — ICC讯 CIOE 2024期间，国科光芯（海宁）科技股份有限公司（简称国科光芯）重点展出基于氮化硅（SiN）技术开发的800G/16T 薄膜铌酸锂(TFLN)与SiN异质集成的硅光芯片，获得业界客户和现场观众广泛讨论和关注。在CIOE展会现场，国科光芯 2021年6月25日 — 氮化硅是在人工条件下合成的化合物。虽早在140多年前就直接合成了氮化硅，但当时仅仅作为一种稳定的"难熔"的氮化物留在人们的记忆中。二次大战后，科技的迅速发展，迫切需要耐高温、高硬度、高强度、抗腐蚀的材料。氮化硅的材料性能知乎专栏氮化硅是一种无机物，化学式为Si3N4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造氮化硅百度百科2024年9月19日 — 氮化硅（Si3N4）精密陶瓷球是由氮化硅（Si3N4）制成的高性能陶瓷球，氮化硅是一种以其出色的机械、热和化学性能而闻名的陶瓷材料。氮化硅陶瓷球广泛应用于混合和全陶瓷轴承、航空航天部件、汽车发动机、机床、化学加工和医疗器械。2024年全球及中国氮化硅（Si3N4）精密陶瓷球行业头部企业

氮化硅光子器件与应用研究进展

2021年4月25日 — 摘要: 氮化硅材料提供了一种与CMOS兼容的集成光子平台，具有丰富的光学特性。通过调节相关制备参数，可以获得特定折射率的薄膜材料，且消光系数和非线性系数具有较大可调控范围。因此，氮化硅 2021年6月25日 — 2、 Si 3 N 4 的化学性能 Si 3 N 4 的化学稳定性很好，除不耐氢氟酸和浓NaOH侵蚀外，能耐所有的无机酸和某些碱液、熔融碱和盐的腐蚀。氮化硅在正常铸造温度下对很多金属(例如铝、铅、锡、锌、黄氮化硅陶瓷（Si 3 N 4）的基本性能知乎氮化硅素是具有优良的热、机械特性的非氧化物类陶瓷。我公司的产品主要作为成型物用原料粉。根据粉体型号有不同的平均粒径。特点使用了氮化硅粉的成型物，即轻量又具有优良的高温强度、破坏韧性，其耐损耗性、耐腐蚀性、耐热冲击等优良性能氮化硅粉末 Denka电化株式会社采用直接氮化法，以硅粉为原料制备高品质氮化硅陶瓷粉体，探究了氮化温度、升温速率、硅粉粒径及稀释剂用量对粉体的影响。原料硅粉D50为27536 nm，不添加Si3N4稀释剂，反应温度为1400 ℃时，在1100~1400 ℃升温速率控制在5 ℃/min，硅粉完全氮化，制备直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体研究 USTB

氮化硅 1 ChemicalBook

2024年8月19日 — 氮化硅性质、用途与生产工艺陶瓷材料氮化硅（Si3N4）是20世纪70年代被科学家开发出来的一种致密，高强度和高韧性的陶瓷材料。最初是希望在先进的涡轮和往复式发动机中用陶瓷代替金属，以提供更高的工作温度和效率。京瓷技术可以将非氧化类陶瓷与金属结合。我公司提供回旋振荡管和速调管用氮化硅（SN287）无线射频窗口。我公司的SN287氮化硅具有良好的高频特性，mm波段超过150GHz。氮化硅（SN287）无线射频窗口精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 2023年12月27日 — 氮化硅加热器是一种高效、环保、耐用的加热设备，利用先进的电热设计和氮化硅材料的高导热率和高电子饱和迁移率，实现了高热效率、高耐热性和高可靠性。因其使用的氮化硅陶瓷材料具有高热导率、高热稳定性、优良的机械性能和抗氧化性能，因此被广泛应用于各种工业和家用电器中的加热氮化硅加热器：高效、环保、耐用的加热新星 CERADIR 2020年3月10日 — 合成方法可在13001400°C的条件下用单质硅和氮气直接进行化合反应得到氮化硅： 3 Si(s) + 2N2(g) →Si3N4(s) 也可用二亚胺合成SiCl4(l) + 6NH3(g) →Si(NH)2(s) + 4NH4Cl(s) 在0 °C的条件下3Si(NH)2(s) →Si3氮化硅合成方法及加工知乎

浅谈氮化硅的刻蚀及其应用百度文库

b）使用气体：SF6、N2和O2 c）通过一系列的试验，得出干法刻蚀工艺条件如下： d）由于采用氮化硅二氧化硅硅结构（如图2），在氮化硅被刻蚀后下面有SiO2保护硅表面，所以，可以不考虑刻蚀的损伤，刻蚀后明显看出表面颜色变化2018年8月8日 — 为了开发用于锂离子电池的下一代负极材料，正在进行广泛的研究工作。这种努力的很大一部分与硅有关，这主要是由于其相当大的理论能力。然而，非常有限的循环稳定性阻碍了广泛的商业应用。一种可能的解决方案是使用可转换的亚化学计量的氮化硅（aSiN x），它在初始锂化周期中经历不可逆氮化硅作为锂离子电池的负极材料：了解SiN x 转化反应 5 天之前 — 氮化硅片/Silicon Nitride Wafer 氮化硅的强度很高，是世界上最坚硬的物质之一。它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的氮化硅片(Silicon Nitride Wafer) 先进电子材料与器件校级平台氮化硅陶瓷制品的生产方法反应烧结法将硅粉或硅粉与氮化硅粉的混合料按一般陶瓷制品生产方法成型。然后在氮化炉内，在1150~1200℃ 预氮化，获得一定强度后，可在机床上进行机械加工，接着在 1350~1450℃进一步氮化18~36h，直到全部变为氮化硅氮化硅的制备性质及应用【共18张PPT】百度文库

Y1D32—LPCVD与PECVD氮化硅波导知乎

2020年12月11日 — LPCVD氮化硅薄膜应力控制： 1、主要通过控制气体比例二氯硅烷与氨气的比例，进行控制，通常比例越高，应力越小。缺点：薄膜是Sirich氮化硅薄膜，而不是标准化学计量的Si3N4，会导致折射率改变20~23。应用案例：环境能源燃料电池在近年，绿色能源SOFC燃料电池备受关注；氮化硅加热器在其中发挥预热、点火的重要用途。氮化硅加热器除具有高可靠性、高质量之外，高气密性设计使其在高温环境也能实现长期运行，为社会的节能减碳做出贡献。氮化硅加热器（SN加热器）｜能源利用相关产品 KYOCERA2024年7月24日 — 二、氮化硅陶瓷外接管的制备方法氮化硅陶瓷的制备过程通常包括粉体制备、成型、烧结和后加工几个阶段。粉体制备是将纯硅粉在氮气环境中进行反应烧结或通过化学气相沉积来获得氮化硅粉末。氮化硅陶瓷外接管的制备方法及其与金属焊接的原理氮化硅纤维一种耐高温、高强度陶瓷纤维，其化学式为Si3N4，在氧化性气氛中，其最高使用温度为1300℃；在非氧化性气氛中，其最高使用温度1800℃。拉伸强度和弹性模量分别可达到1000MPa和300GPa，热膨胀系数低，磨损抗力优良，主要用来增强金属和陶瓷。氮化硅纤维百度百科

氮化硅MSDS用途密度氮化硅CAS号【1】化源网

2024年1月2日 — 1主要有硅粉直接氮化法、二氧化硅还原法和氯化硅法。在大规模工业生产中，二氧化硅还原法更为人们所重视。二氧化硅还原法二氧化硅粉末100份(重量份，下同)，混入炭黑35份，尿素树脂100份，然后加入800份水、01份氧化铝(作反应核用)、1份草酸铵和03份非离子表面活性剂(作分散剂)，进行强搅拌氮化硅是由硅元素和氮元素构成的化合物。在氮气气氛下，将单质硅的粉末加热到13001400°C之间，硅粉末样品的重量随着硅单质与氮气的反应递增。在没有铁催化剂的情况下，约7个小时后硅粉样品的重量不再增加，此时反应完成生成Si 3 N 4。 [2] 除了Si 3 N 4 外，还有其他几种硅的氮化物（根据氮化氮化矽 Wikiwand5 天之前 — FKK 公司生产用于燃气和 H2 节能系统的 OEM 定制氮化硅陶瓷热表面点火器。标准的点火器只能使用 2 或 3 年，而 FKK 陶瓷热表面点火器根据日本标准至少可以使用很长时间（可能接近 10 年），并且在任何条件下（高湿度、低温、强烈振动等）都具有很强的耐受氮化硅点火器 FKK Corporation苏州原位芯片研发的氮化硅薄膜窗口，具有超洁净，高强度，超平整的特点，适用于同步辐射软X射线、TEM、SEM显微镜等观测实验。原位芯片自主研发的可用于观测液体环境的氮化硅薄膜观测窗口，更是打破国际垄断，氮化硅薄膜窗口液体芯片电镜载网原位芯片，优质

氮化硅化工百科 ChemBK

2024年1月2日 — 氮化硅有a、β两种晶型。aSi3 N4为颗粒结晶，pS13 N4为针状结晶体，两者均属六方晶系，相对密度3 18，莫氏硬度9．热膨胀系数小、化学稳定性好，并具有优良的抗氧化性。2023年11月30日 — 氮化硅（S i3N4 ）陶瓷作为先进结构陶瓷，具有耐高温、高强度、高韧性、高硬度、抗蠕变、耐氧化以及耐磨损等优异性能的同时，还具备良好的抗热震性与介电性能、高热导率以及良好的高频电磁波高致密性、高强度的氮化硅陶瓷烧结工艺介绍艾邦氮化硅在高温高速和强腐蚀介质的工作环境下具有特殊价值。[3] 人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、永久性模具等机械构件。用耐高温不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率。氮化硅抖音百科2、原子共价键形成反应：在此反应中，Si和N原子经过化学键形成反应，形成SiN共价键，这也是α氮化硅完成其结构形成的基础。二、α氮化硅的形成动力α相和β相氮化硅的形成机理与动力百度文库

一片氮化硅陶瓷基片的成型之路艾邦半导体网

2022年6月17日 — 传统硅基半导体由于自身物理性能不足，逐渐不适应于半导体行业的发展需求，在此背景下第三代半导体应运而生，第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点，在高频、高压、高温等工作场景中，有易散热、小体积、低能耗、高功率等明显 2022年5月26日 — 氮化硅的烧结通常采用液相烧结的方式，更容易致密和各方面性能最优化。液相烧结需要烧结助剂的加入，为了提高氮化硅的性能，添加合适的烧结助剂来调节液相的组成以及含量非常重要。【原创】浅述三大类氮化硅陶瓷烧结助剂中国粉体网2024年1月24日 — 在现代电力系统中，有一种神秘的材料正在默默地发挥着重要作用，那就是氮化硅绝缘环件。这种看似普通的小部件，实则是电力设备中的关键元素，它的性能直接影响着电力系统的安全和稳定运行。氮化硅绝缘环件：解密电力设备中的隐秘技术陶瓷材料 18 小时之前 — 在现代工业领域，特别是电子、机械和能源行业，对材料的性能要求愈发严苛。氮化硅（Si3N4）陶瓷作为一种高性能材料，因其优异的耐磨损性和可导电性而备受关注。耐磨损“可导电氮化硅陶瓷块”的物理性能材料硬度导电性

氮化硅陶瓷基板——第三代半导体守护者艾邦半导体网

2021年7月9日 — 最近几年，氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料在我国得到了大力发展，要使用第三代半导体材料生产出大功率半导体器件，如果没有功率集成电路陶瓷基板，半导体器件的散热效果将会大大降低、降低该器件的使用效果。2023年6月25日 — 河北高富氮化硅材料有限公司成立于2011年，是一家致力于生产高性能氮化硅产品的高新技术企业。经过十余年的技术创新和发展，公司形成了以氮化硅粉体为基础，高纯氮化硅粉体和高性能氮化硅陶河北高富氮化硅材料有限公司2022年11月1日 — 近日，清华大学材料学院研究团队通过在共价键氮化硅陶瓷材料中设计共格界面，创新性引入“共价键断裂旋转再键合”方式来实现类似金属中的位错运动，使得氮化硅陶瓷表现出前所未有的室温压缩塑性形材料学院研究团队首次实现共价键氮化硅陶瓷室温塑 2020年4月7日 — 蓝色圆球是氮原子，灰色圆球是硅原子crystal structure of alphaSi3N4 Data from Kato K, Inoue Z, Kijima K, Kawada I, Tanaka H, Yamane T (1975) "Structural Approach to the Problem of Oxygen氮化硅晶体结构和特性知乎