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氮化硅的制粉工艺及设备

氮化硅的制粉工艺及设备

高纯度氮化硅粉体生产工艺的制作方法 X技术网

本发明涉及一种氮化硅生产设备，特别是涉及一种高纯度氮化硅粉体生产工艺。背景技术：：氮化硅具有良好的抗热冲击性、抗氧化性、耐高温、耐腐蚀、化学稳定性高、强度高等一系列优异的热物理性能，是一种优良的 2022年6月6日 — 氮化硅陶瓷微粉的制备方法主要包括硅粉直接氮化法、碳热还原二氧化硅法、化学气相合成法、热分解法。硅粉直接氮化法，即Si粉与N 2 反应生成Si 3 N 4 粉体，化学反应为： 3Si (s)+2N 2 (g) → Si 3 N 4 (s) 氮化硅陶瓷微粉制备方法与应用研究进展要闻资讯2016年10月13日 — 氮化硅（Si3N4）是重要的陶瓷结构材料，具有密度和热膨胀系数小、硬度大、弹性模量高以及热稳定性、化学稳定性和电绝缘性好等特点，此外，它还耐腐蚀、氮化硅微粉的制备方法及应用现状 360powder2020年5月25日 — 氮化硅粉体制备的基本原理是在合适的温度和气氛条件下，含氮化合物与含硅化合物发生化学反应，生成高纯度特定晶相（α相或β相）的氮化硅粉体。氮化硅的两氮化硅粉体的制备与氮化硅陶瓷的应用粉体资讯粉体圈

直接氮化法制备高品质氮化硅陶瓷粉体研究 USTB

摘要: 采用直接氮化法，以硅粉为原料制备高品质氮化硅陶瓷粉体，探究了氮化温度、升温速率、硅粉粒径及稀释剂用量对粉体的影响。原料硅粉D50为27536 nm，不添加Si3N4 氮化硅粉体和Sialon粉体的合成工艺及其机理研究来自掌桥科研喜欢 0 阅读量： 220 作者：姜坤摘要：氮化硅和sialon都属于高温结构陶瓷材料具有耐高温,耐磨损,耐腐蚀, 氮化硅粉体和Sialon粉体的合成工艺及其机理研究百度学术2022年2月1日 — 氮化硅的制备方式有多种，目前工业大规模生产氮化硅最常用的是硅粉直接氮化。氮化硅具有α 和β 两种晶型，其中：αSi3N4 是低温亚稳定相；βSi3N4 是高温稳硅粉氮化制备氮化硅的机理研究进展中国陶瓷工业网站 jci 2023年7月25日 — 氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料，其性能是影响氮化硅坯体成型、烧结的关键因素，对最终氮化硅陶瓷产品的致密度、力学性能等都具有重要影响。氮化硅粉体是制备氮化硅陶瓷的关键原料知乎

氮化硅合成方法及加工知乎

2020年3月10日 — 作为粒状材料的氮化硅是很难加工的——不能把它加热到它的熔点1850°C 以上，因为超过这个温度氮化硅发生分解成硅和氮气。因此用传统的热压烧结技术是有问题的。把氮化硅粉末粘合起来可通过添加一些其他物质比如烧结助剂或粘合剂诱导 2021年9月2日 — 因此，制粉工艺及粉末质量已成为AlN 陶瓷制备的重要环节。工业上使用的直接氮化法、自蔓延高温合成法和碳热还原法在各自粉末制备过程中仍存在不足，直接氮化法的转化率及杂质含量虽已得到良好的北科大：氮化铝粉末制备方法的最新研究进展氮化硅的制备性质及应用【共18张PPT】氮化硅的制备、性质及应用11提纲氮化硅的物理性质氮化硅的化学结构氮化硅的性能氮化硅的制备方法氮化硅的应用国内形势前景22呈灰色、白色或灰白色六方晶系，晶体呈六面体不溶于水，溶于氢氟酸莫氏硬度氮化硅的制备性质及应用【共18张PPT】百度文库氮化硅陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料,最能发挥优势的是其在高温领域中的应用但是,目前人们对它的高温强度、抗热震性、高温蠕变及高温抗氧化性研究仍很少, 距离高温下应用的要求还很远特别是在 1400e 下的强度和断裂韧性还不能令人满意; 高温和高氮化硅材料的性能、合成方法及进展百度文库

氮化硅减反射膜制备工艺对组织结构及折射率影响的研究

2019年6月1日 — 太阳能电池是一种清洁能源, 近年来发展迅猛。减反射膜能大幅减少太阳能电池对光线的反射, 从而提高电池光电转化率。为优化减反射效果, 减反射膜设计多样, 包括单层膜、双层膜、三层膜和多层膜, 膜层不同对薄膜材料的折射率要求不同。氮化硅薄膜是一种优秀的硅基太阳能减反射膜, 其折射率在 2018年12月18日 — 摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参数。等离子体增强化学氮化硅镀膜工艺参数优化知乎PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究一、引言随着半导体、光电子、微电子等领域的快速发展，对薄膜材料的要求也越来越高。PECVD（等离子体增强化学气相沉积）氮化硅薄膜因其优异的性能，被广泛应用于集成电路、太阳能电池、显示器件等领域。PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究百度文库【摘要】制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICPCVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力 ICPCVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索

聊聊氮化硅（SiNx）在芯片中的重要性知乎

2023年7月15日 — 氮化硅的绝缘性能非常优秀，电阻率可以高达10^14 Ωcm，远超过一些常见的绝缘材料，如氧化硅（SiO2 ）。而它的低介电常数又使得它在微波和射频应用中成为理想的隔离层。氮化硅层在芯片中也起到阻挡杂质扩散的作用。它可以阻止硼、磷等 2024年5月20日 — 目前国内可供选择的研磨设备有立式磨、雷蒙磨、钢球磨等。工业硅制粉加工工艺与设备的选择主要从以下几个方面考虑:a产品粒度:硅粉的粒度及粒级组成主要由各有机硅生产厂商所采用的流化床决定,粒径一般在44~144um范围内;b研磨部件损耗量及使用寿工业硅制粉加工工艺与设备的比较2023年11月30日 — 氮化硅（S i3N4 ）陶瓷作为先进结构陶瓷，具有耐高温、高强度、高韧性、高硬度、抗蠕变、耐氧化以及耐磨损等优异性能的同时，还具备良好的抗热震性与介电性能、高热导率以及良好的高频电磁波高致密性、高强度的氮化硅陶瓷烧结工艺介绍艾邦活性好的表现有两方面：一是反应迅速，稳定，且易于控制；二是反应完全，单耗低，即合成1t甲基氯硅烷的硅粉耗量低，为了获得高活性的硅粉，必须使高块的制取方法、硅块的化学成分、环境条件及硅硅粉的制取方法都达到最佳水平。金属硅制粉使用的各设备特点对比百度文库

氮化硅陶瓷制备方法（全）知乎专栏

2021年6月22日 — 将氮化硅及助烧剂的混合物粉末封装到金属或玻璃包套中 , 抽真空后通过高压气体在高温下烧结。常用的压力为 200MPa , 温度为 2000℃热等静压氮化硅可达理论密度, 但它工艺复杂, 成本较高。7、微 2023年11月9日 — 氮化硅粉具有高耐腐蚀性、高耐磨性等性能，因此在化工领域中得到了广泛的应用。它可以用于制造化工设备的密封件、管道等，提高设备的密封性能和减少泄漏事故的发生。二、氮化硅粉的制备方法 1 化学气相沉积法是一种常用的制备氮化硅粉的方法。氮化硅的制备方法和用途氮化硅是一种无机物，化学式为Si 3 N 4。它是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它氮化硅百度百科1970年1月1日 — 两种烧结工艺得到的氮化硅陶瓷的性能如表 5 所示。表 5 GPS 与 HIP 烧结得到氮化硅陶瓷性能对比氮化硅轴承球(见图 2)在使用中转速每高达60 万转,其主要用在精密机床主轴、电主轴高速轴承,航空航天发动机、汽车发动机轴承等设备用轴承中氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进

半导体工艺与设备5刻蚀工艺及设备知乎

2024年3月19日 — 热磷酸（H3PO4）是用于湿法化学剥离去除氮化硅的主要化学液，对于氧化硅有较好的选择比。湿法清洗与湿法刻蚀类似，主要是通过化学反应去除硅片表面的污染物，包括颗粒、有机物、金属和氧化物。主流的湿法清洗就是湿化学法。虽然干法 2012年3月23日 — 介绍了两种石灰石制粉工艺的系统设备配置，并对其在已建成项目上的实际调试、行情况进行比较，通过比较归纳出各自的优缺点。关键词：石灰石制粉系统;设备配置;振动磨;柱磨机;选粉机。循环流化床锅炉燃烧时需要向炉内喷射一定粒度的石灰石粉,以达到烟气脱硫的目的。两种石灰石制粉工艺的设备配置及运行情况比较百科资讯 2010年9月9日 — 硅粉加工工艺以为硅块原料制取硅粉的方法很多。其中效果较好、应用较多的是雷蒙法，对辊法。所用设备相应是雷蒙法、对辊机。就制粉原理看，前三种是挤压粉碎，后一种是冲击粉碎，就其结构看，相异很大，各有特色，各有优缺点硅粉加工工艺和所需设备要闻资讯中国粉体网2022年6月17日 — 氮化硅陶瓷基片的总体生产工艺流程包括混料、球磨、脱泡、流延成型、冲压、敷粉（喷粉）、排胶、烧结、除粉清洗、磨边、扫光、研磨、超声波清洗、甩干、激光切割、质检等工序。下面一起来了解一下一片氮化硅基片的成型之路。一片氮化硅陶瓷基片的成型之路艾邦半导体网

金属硅粉制备工艺及装置百度学术

2015年6月21日 — 摘要：本发明所述的金属硅粉制备工艺,首先是硅块经锤式破碎机初级粉碎,经斗式提升机进入碎料仓,再送入立式粉碎机研磨粉碎成粉碎物料;该粉碎物料的混和粗粉经第二斗式提升机送入方形摇摆筛筛分,筛至方形摇摆筛下部的成品粉贮存至成品仓,留存于方形摇摆筛上部的粗粉通过第三斗式提升 2022年4月14日 — 氮化硅陶瓷制作工艺流程制备工艺流程：溶胶—疑胶技术性，近些年，该技术性获得广泛运用，尤其是在工业生产层面获得了显著进度如：日本国运用该方式制取的氧化铝陶瓷塑料薄膜的薄厚做到高抗弯强度热膨胀小级氮化硅陶瓷的特性及工艺流程 1970年1月1日 — 两种烧结工艺得到的氮化硅陶瓷的性能如表 5 所示。表 5 GPS 与 HIP 烧结得到氮化硅陶瓷性能对比氮化硅轴承球(见图 2)在使用中转速每高达60 万转,其主要用在精密机床主轴、电主轴高速轴承,航空航天发动机、汽车发动机轴承等设备用轴承中氮化硅陶瓷在四大领域的研究及应用进展 CERADIR 先进 2024年3月19日 — 热磷酸（H3PO4）是用于湿法化学剥离去除氮化硅的主要化学液，对于氧化硅有较好的选择比。湿法清洗与湿法刻蚀类似，主要是通过化学反应去除硅片表面的污染物，包括颗粒、有机物、金属和氧化物。主流的湿法清洗就是湿化学法。虽然干法半导体工艺与设备5刻蚀工艺及设备知乎

两种石灰石制粉工艺的设备配置及运行情况比较百科资讯

2012年3月23日 — 介绍了两种石灰石制粉工艺的系统设备配置，并对其在已建成项目上的实际调试、行情况进行比较，通过比较归纳出各自的优缺点。关键词：石灰石制粉系统;设备配置;振动磨;柱磨机;选粉机。循环流化床锅炉燃烧时需要向炉内喷射一定粒度的石灰石粉,以达到烟气脱硫的目的。2010年9月9日 — 硅粉加工工艺以为硅块原料制取硅粉的方法很多。其中效果较好、应用较多的是雷蒙法，对辊法。所用设备相应是雷蒙法、对辊机。就制粉原理看，前三种是挤压粉碎，后一种是冲击粉碎，就其结构看，相异很大，各有特色，各有优缺点硅粉加工工艺和所需设备要闻资讯中国粉体网2022年4月6日 — 氮化硅的应用伴随着科学技术的进步，冶金企业越来越向大型化、连续化、自动化、无污染、低消耗等方向发展，因此冶金企业在许多材料中必须采用新技术、新设备和新材料，氮化硅与氮化硅复合体生产的氮化碳陶瓷材料不断为世界各国冶金企业所采用，在冶金行业的应用领域也越来越广泛。高精度超硬氮化硅陶瓷导轮的特性及工艺流程知乎2022年6月17日 — 氮化硅陶瓷基片的总体生产工艺流程包括混料、球磨、脱泡、流延成型、冲压、敷粉（喷粉）、排胶、烧结、除粉清洗、磨边、扫光、研磨、超声波清洗、甩干、激光切割、质检等工序。下面一起来了解一下一片氮化硅基片的成型之路。一片氮化硅陶瓷基片的成型之路艾邦半导体网

工业硅制粉加工工艺与设备的比较桂林鸿程

2024年1月25日 — 工业硅制粉加工工艺与设备的选择主要从以下几个方面考虑:a产品粒度:硅粉的粒度及粒级组成主要由各有机硅生产厂商所采用的流化床决定,粒径一般在44~144um范围内;b研磨部件损耗量及使用寿命;c研磨硅粉能耗及氮气消耗量;d自动化程度;e设备价格。2022年6月6日 — 氮化硅精密陶瓷轴承已在电镀设备、高速机床、医疗装置、化工设备、低温工程、风力发电等精密传动系统获得越来越多的应用 [10]江雨航,宋瑶婷,王宝华多孔氮化硅陶瓷的研究进展及应用[J]江苏陶瓷学术研究,2020,53(4) （中国粉体网编辑氮化硅陶瓷微粉制备方法与应用研究进展要闻资讯中国粉体网2015年4月15日 — 发明内容 [0003] 为解决上述现有技术缺陷，本发明的目的在于提供用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法，本设备采用前三级缓冲室、后三级缓冲室以及一个三阶段镀膜室，采用如上技术方案的本发明，具有如下有益效果：(1) 减少电池表面光的反射；(2) 进行表面及体钝化，减少电池的一种用于氮化硅沉积的磁控溅射镀膜设备及镀膜方法 [发明专利]2021年1月28日 — 摘要：采用感应等离子制备技术制备了纳米硅粉，对不同原料粒度及工艺参数对纳米硅粉粒度的影响进行了探究。结果表明，在其他工艺参数不变的前提下，纳米硅粉的粒度随原料粒度降低呈先降低后不变的趋势，随冷却气流增大而降低，随送粉速率增感应等离子制备纳米硅粉的工艺及性能研究

氮化硅陶瓷特性及应用英诺华 INNOVACERA

特种陶瓷和结构陶瓷的种类很多，氮化硅陶瓷因其各方面性能均衡而被称为“结构陶瓷之王”。适用于机械振动大、热冲击大、电流冲击大、可靠性和稳定性要求高的应用场合。氮化硅陶瓷粉末的纯度、粒度和晶型对基体成型工艺、烧结工艺和最终产品性能有重大影响。因此，氮化硅粉体的制备 2022年12月5日 — 硅粉加工工艺与硅粉研磨设备的选择主要从以下几个方面考虑：a产品粒度:硅粉的粒度及粒级组成主要由各有机硅生产厂商所采用的流化床决定,粒径一般在44~ 144μm范围内;b研磨部件损耗量及使用寿命;c研磨硅粉能耗及氮气消耗量;d自动化程度;e设硅粉加工工艺与硅粉研磨设备的选择2023年5月22日 — 一、雾化合金粉综述雾化合金粉用雾化法制得的金属粉末，即利用高压气流或水流、离心力等工艺，将熔融金属液流粉碎成液滴，冷凝后得到的金属或合金粉末；雾化粉末成球率高、松装密度大，压缩性能依粉末形状而不同，不规则雾化粉压缩性好；雾化制粉是粉末冶金新技术的基础。2022年全球及中国雾化合金粉（雾化粉末材料）行业现状及 2019年10月11日 — 制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICPCVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺 ICPCVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索

高力学性能黑色氮化硅陶瓷滚轮的特性及工艺流程知乎

2022年4月9日 — 氮化硅陶瓷物理特性氮化硅(si3N1)有二种品型，即一siN4和p—si：Nd，均属六方晶系，二者全是6EsiO‘]四面体同用夹角组成的三维空间互联网，相在高溫下可变化为p相，但一般觉得两相结构类型只能对称的区别(9相对称较高)，而无高低温试验相之分表5—5列举了Si3Nd的2个相的晶格常数及相对密度。2022年4月7日 — 新型氮化硅陶瓷的性能特点和应用氮化硅陶瓷可用来做陶瓷轴承还可以解决化工机械设备、食品、海洋等部门机器腐蚀问题在高真空领域,利用Si3N4陶瓷的自润滑性可以解决钢质轴承使用润滑介质造成的真空污染问题总之,采用氮化硅陶瓷材料制造轴承,极大的扩展了轴承在各个领域尤其是高温和腐蚀良好的高温强度导热好氮化硅陶瓷丝堵的特性及工艺流程知乎等离子增强型化学气相淀积(PECVD)是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法PECVD法工艺复杂,沉积过程的控制因素较多,沉积条件对介质薄膜的结构与性能有直接的影响因此在PECVD淀积过程中必须对众多参数进行控制,因此,优化沉积条件是十分重要的 PECVD氮化硅薄膜的制备工艺及仿真研究百度学术氮化硅的制备、性质及应用需求，工业化生产超微、高质量的氮化硅粉末是国内氮化硅行业发展中亟待解决的难题，刻不容缓。采用高压合成工艺不仅因设备投资高而且增加了生产成本，同时也给生产带来了安全隐患。氮化硅的制备、性质及应用百度文库

氮化硅合成方法及加工知乎

氮化硅减反射膜制备工艺对组织结构及折射率影响的研究

2019年6月1日 — 太阳能电池是一种清洁能源, 近年来发展迅猛。减反射膜能大幅减少太阳能电池对光线的反射, 从而提高电池光电转化率。为优化减反射效果, 减反射膜设计多样, 包括单层膜、双层膜、三层膜和多层膜, 膜层不同对薄膜材料的折射率要求不同。氮化硅薄膜是一种优秀的硅基太阳能减反射膜, 其折射率在 2018年12月18日 — 摘要:利用等离子体增强化学气相沉积( PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工氮化硅镀膜工艺参数优化知乎PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究一、引言随着半导体、光电子、微电子等领域的快速发展，对薄膜材料的要求也越来越高。PECVD（等离子体增强化学气相沉积）氮化硅薄膜因其优异的性能，被广泛应用于集成电路、太阳能电池、显示器件等领域。PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究百度文库【摘要】制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICPCVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力 ICPCVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索